시장에 출시된 최초의 GaAs 터널 다이오드

Texas Instruments가 발표한 갈륨 비소 터널 다이오드는 세계 최초로 상업적으로 이용 가능한 갈륨 비소 장치입니다.

그래서 63년 전, 1960년 10월 12일자 Electronics Weekly 판에서 이야기를 시작했습니다.

이야기는 계속됩니다:

이는 터널 다이오드 이론을 최대한 활용하기 위한 "이상적인" 재료로 설명된 것을 제공하는 데 있어 획기적인 발전을 의미합니다.

이 새로운 다이오드는 이미 미국에서 본격적으로 생산되고 있으며 이 나라로 수입되고 있습니다. 수요나 방어 요구사항이 정당화되면 여기서 제조가 수행됩니다. 해당 장치의 초기 배송은 이미 고객에게 이루어졌습니다.

IN650 시리즈로 알려진 4가지 유형이 발표되었습니다. 이 제품은 15:1보다 큰 피크 대 밸리 비율이 매우 높으며 최대 150°C의 고온 작동이 가능합니다.

이는 고속 컴퓨터 회로의 특정 응용 분야를 위해 설계되었습니다.

터널 다이오드와 동시에 텍사스 ​​정류기 범위 확장, 실리콘 광전지 광 센서 2개, 컴퓨터용 새로운 메사 게르마늄 트랜지스터 3개가 발표되었습니다.